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紫外灯耐候试验箱价格

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品牌: 艾思荔
单价: 50000.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 30 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 广东 东莞市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2015-08-29 08:47
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明
   艾思荔生产的紫外灯耐候试验箱参照标准:IEC61215:2005、IEC61646:2008、IEC61345:1998、ASTM D4329、D499、D4587、D5208、G154、G53;ISO 4892-3、ISO 11507;EN 534;prEN 1062-4、 BS 2782;JIS D0205;SAE J2020等试验标准。本标准等同采用IEC 61345:1998《紫外(PV)试验》。

  紫外灯耐候试验箱技术指标 www.szhwhsx.com

  1、工作室尺寸: 450×1170×500㎜;

  2、外形尺寸:580×1280×1450㎜;

  3、温度范围:RT+10℃~70℃;

  4、湿度范围:90~98%R·H;

  5、湿度均匀度: ±2%;

  6、温度均匀度:±2℃;

  7、温度波动度:±0、5℃;

  8、湿度波动度:±2%;

  9、控温方式:PID自整定控温方式;

  10、灯中心距离:70㎜;

  11、样品与灯中心距离:50㎜;

  12、标准试件尺寸:75×150㎜或75×300㎜(特殊规格需在合同中说明);

  13、水槽水深要求:25㎜,自动控制;

  14、有效辐照区域:900×210㎜;

  15、紫外线波长:UV-A波长范围为315-400nm;UV-B波长范围为280-315nm;

  16、试验时间:0~999H 可调;

  17、黑板温度:40℃~65℃;

  18、紫外光、凝露时间交替可调;

  紫外灯耐候试验箱箱体结构:

  1、箱体外壳材料:SUS不锈钢板喷塑处理;

  2、内胆材料:SUS不锈钢板;

  3、箱盖材料:SUS不锈钢板喷塑处理;

  4、在工作室的两边共安装8支UV-A或UV-B的紫外灯管;

  5、加热方式为内胆水槽式加热,升温快,温度分布均匀;

  6、箱盖为双向翻盖式 ,开闭轻松自如;

  7、内胆水位自动补水,防止加热管空烧损坏;

  8、试样架由不锈钢或铝合金制成;

  9、试验箱底部采用高品质可固定式PU活动轮;

  10、排水系统使用回涡型及U型积沉装置排水;

  11、试样表面与紫外灯平面相平行;

  12、喷淋型设备内部安装有自动喷头,水压可调;

  13、如果灯管在亮时,箱体的门一旦被打开,机器将自动切断灯管供电,并自动进入平衡状态冷却,以免人体受到伤害;

  14、箱内超温保护,箱内温度过高时机器将自动切断电源,并进入平衡状态冷却。

  紫外灯耐候试验箱电路控制系统

  1、日本RKC温控仪,控制精度±0、1℃;

  2、薄膜式 KEY BOARD按键;

  3、温度控制均采用P 、I 、D +S 、S 、R,系统同频道协调控制,可提高控制元件与界面使用之稳定性及寿命;

  4、触控式设定、数位及直接显示;

  5、具有P 、I 、D 自动演算之功能,可减少人为设定时带来之不便;

  6、光照和冷凝可独立控制也可以交替循环控制;

  7、光照和冷凝的独立控制时间和交替循环控制的时间可在一千小时内任意设置;

  8、在运转或设定中,如发生错误时,会提供警示迅号;

  9、法国“施耐德”元器件;

  10、菲利浦整流器和启辉器(保证每次开机均可点亮紫外灯);

  紫外灯耐候试验箱湿气循环:

  随着温度的提高,潮湿对材料的破坏力会急剧增加。因此在潮湿曝晒过程中,温度控制是最基本的要求。更进一步说,要产生加速效果,就要求在潮湿曝晒过程中保持高温环境。在设备中冷凝过程温度设置可以是从40℃到60℃中的任何一点。

  紫外灯耐候试验箱温度控制UV循环:

  一级的光化学反应对温度变化并不敏感。然而,随之而来的二级反应的速度则和温度变化紧密相关。一般来说,随着温度升高,反应速度会加快。因此,在UV曝晒试验过程中,温度控制就显得很重要,更重要的是要将加速试验所采用的试验温度与材料在实际应用中遭遇的最高温度相匹配。在设备中UV的温度设置可以是从50℃到80℃中的任何一点,具体取决于光照度水平和室内环境气温。设备的温度调节是通过具有微电脑演算功能的控制器来指挥设备内诸如空气加热器、水加热器、等一系列系统来完成。

  紫外灯耐候试验箱用途:www.lrcjsyj.com

  紫外灯耐候试验箱又名氙灯紫外线试验箱(艾思荔0769-22851843)适用于评估储存聚合材料和保护层等材料抗紫外辐照性能。主要应用于光伏行业,及太阳能行业。用于测试,主要是单晶硅组件,地面用晶硅,地面用薄膜等一系列进行紫外光加速耐候试验,可以再现阳光所产生的破坏。

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