半导体器件参数测试系统

技术指标

主极电压:    10mV-2000V

主极电流：   100nA-50A

扩展电流：   100A、500A、1000A、1300A

电压分辨率：    1mV

电流分辨率：    1nA

测试精度：   0.2%+2LSB

测试速度：   0.5mS/参数

系统功耗：   <150w

质    量：   35KG

尺    寸：   450x570x280mm

通信接口：   RS232 USB

工作温度：   25-40°C

测试范围

二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管  MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双极大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS

达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二极管DIAC