新型半导体晶体管图示系统

系统规格及技术指标                                                          

主极电压：     1mV-2000V

电压分辨率：   1mV

主极电流：     0.1nA-50A

扩展电流：     100A

电流分辨率：   0.1nA

测试精度：     0.2%+2LSB

测试速度：     0.5mS/参数

工作温度：     25℃--40℃

工作湿度：     45%--80%

贮存湿度：     10%--90%

工作电压：     200v--240v

电源频率：     47HZ--63HZ

通信接口：     RS232 USB

系统功耗：     <150w

设备尺寸：     450mm×570mm×280mm

质    量：     35KG

测试范围

二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管  MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双极大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS

达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二极管DIAC